PNP Ic=-100mA Vceo=-45V hfe=200~450 P=200mW
品牌：Nexperia
历史库存：845
历史单价：0.17081（最新价格请咨询）
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
系列 汽车级，AEC-Q101
零件状态 在售
晶体管类型 PNP +PNP
Vce饱和压降(Max) 400mV
DC电流增益(hFE)(Min&Range) 200
集电极电流Ic(Max) 100mA
集射极击穿电压Vce(Max) 45V
功率(Max) 200mW
跃迁频率 100MHz
工作温度(Tj) 150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 SOT-363-6，SC-88
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD
品牌：Infineon
历史库存：0
历史单价：34.47700（最新价格请咨询）
1200V /25A Trench Field Stop IGBT
品牌：SPTECH
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。SPT25N120F1A1价格参考￥5.19200。SPTECHSPT25N120F1A1封装/规格：TO-247 ,SOT-429,1200V /25A Trench Field Stop IGBT。你可以下载SPT25N120F1A1中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IGBT详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：SPT25N120F1A1<!--
历史单价：5.72000（最新价格请咨询）
集射极击穿电压Vce(Max) 1200V
DC电流增益(hFE)(Min&Range) -
跃迁频率 -
集电极电流Ic(Max) 25A
封装/外壳 TO-247 ,SOT-429
4A 600V 单向 IGT:20-80uA
品牌：RICKY
历史单价：0
可控硅类型 -
断态电压 600V
通态电流It(RMS)(Max) 4A
栅极触发电压(Max) 800mV
栅极触发电流(Max) 100µA
工作温度(Tj) -40°C~110°C
安装类型 通孔(THT)
封装/外壳 TO-251
12A 600V 三象限双向 IGT3:<50mA
通态电流It(RMS)(Max) 12A
栅极触发电压(Max) -
栅极触发电流(Max) -
封装/外壳 TO-220A
25A 600V 三象限双向 IGT3:<35mA
可控硅类型 双向可控硅
通态电流It(RMS)(Max) 25A
栅极触发电压(Max) 1.3V
栅极触发电流(Max) 35mA
工作温度(Tj) -40°C~125°C
DIP-6 单向光耦 Viso=5300Vrms VF(typ)=1.3V IF=80mA
品牌：Vishay
断态电压 400V
通态电流It(RMS)(Max) 100mA
工作温度(Tj) -55°C~100°C
封装/外壳 DIP-6
OPTOISO5KVTRIAC6SMD
品牌：Toshiba
断态电压 800V
工作温度(Tj) -40°C~100°C
DIP-6 单向光耦 Viso=5300Vrms VF(typ)=1.3V IF=60mA
DIP-6 单向光耦 Viso=5300Vrms VF(typ)=1.16V IF=60mA
通态电流It(RMS)(Max) 300mA
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