4A 600V 四象限双向 IGT3:<10mA
品牌：RICKY
历史库存：4000
历史单价：0.70002（最新价格请咨询）
可控硅类型 双向可控硅
断态电压 600V
通态电流It(RMS)(Max) 4A
栅极触发电压(Max) 1.3V
栅极触发电流(Max) 10mA
工作温度(Tj) -40°C~125°C
安装类型 通孔(THT)
6-DIP 单向光耦 Viso=5000Vrms VF(Max)=1.5V IF=60mA
品牌：Everlight
历史库存：1425
历史单价：1.31980（最新价格请咨询）
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
零件状态 在售
断态电压 800V
通态电流It(RMS)(Max) 100mA
工作温度(Tj) -55°C~100°C
THYRISTOR 100A 8SOIC 断态 100 A Ipp TVS 晶闸管 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
品牌：ST
历史库存：100
历史单价：2.43136（最新价格请咨询）
元件生命周期 Active
原产国家 America
可控硅类型 -
栅极触发电压(Max) 2.5V
栅极触发电流(Max) 5mA
工作温度(Tj) -55°C~150°C
安装类型 表面贴装(SMT)
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
12A 800V 三象限双向 IGT3:<10mA
历史库存：1000
历史单价：1.79551（最新价格请咨询）
通态电流It(RMS)(Max) 12A
栅极触发电压(Max) -
栅极触发电流(Max) -
封装/外壳 TO-220A
40A 600V 三象限双向 IGT3:<50mA
历史库存：414
历史单价：6.69601（最新价格请咨询）
通态电流It(RMS)(Max) 40A
封装/外壳 TO-3P
双向可控硅 TO-252-2(DPAK) 6A 600V 1.45V
品牌：JCET
历史库存：564
历史单价：0.67500（最新价格请咨询）
通态电流It(RMS)(Max) 6A
栅极触发电压(Max) 1.45V
工作温度(Tj) 125°C
封装/外壳 TO-252-2(DPAK)
MOSFET N-CH 50V S-MINI
品牌：Toshiba
历史库存：0
历史单价：0
FET类型 N沟道
导通电阻Rds On(Max) -
输入电容(Ciss)(Max) 8.2pF
功率(Max) 100mW
IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23
品牌：ON
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。MMBFJ310价格参考￥0.00000。ONMMBFJ310封装/规格：SOT-346,IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23。你可以下载MMBFJ310中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：MMBFJ310<!--
漏源电压(Vdss) -
连续漏极电流Id@25℃ -
功率(Max) 350mW
封装/外壳 SOT-346
IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM
品牌：Broadcom
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。ATF-541M4-BLK价格参考￥0.00000。BroadcomATF-541M4-BLK封装/规格：DSN-2,IC ENHANCED MOD SUDIOMORPHIC HEM。你可以下载ATF-541M4-BLK中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：ATF-541M4-BLK<!--
漏源电压(Vdss) 5V
连续漏极电流Id@25℃ 120mA
封装/外壳 DSN-2
品牌：NXP
历史库存：销售,并且可以通过 等渠道进行代购。PMBFJ177价格参考￥4.02081。NXPPMBFJ177封装/规格：-,。你可以下载PMBFJ177中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JFETs详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程 手机版：PMBFJ177<!--
历史单价：4.93464（最新价格请咨询）
