湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

包装 Tube packing

接口类型 SPI - Quad I/O, QPI

写周期时间-字，页 800µs

原始制造商 Winbond Electronics

品牌 Winbond

零件状态 Active

系列 SpiFlash®

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 FLASH - NOR

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FLASH

存储容量 8 (1M x 8)MB

时钟频率（Max） 104MHz

工作电压（范围） 1.95V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

存取时间 5ns

包装 Tray

接口类型 Parallel

写周期时间-字，页 -

原始制造商 Winbond Electronics

品牌 Winbond

零件状态 Active

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 SDRAM

存储器类型 Volatile

存储器格式 DRAM

存储容量 64 (4M x 16)MB

时钟频率（Max） 166MHz

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 0~+70℃

安装类型 SMT

封装/外壳 TSOP-54

存取时间 450ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

原始制造商 STMicroelectronics

品牌 ST

零件状态 Active

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 64 (8K x 8)KB

时钟频率（Max） 1MHz

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 UFDFN-8

包装 Tape/Reel

接口类型 SPI - Quad I/O

原始制造商 GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

品牌 GigaDevice

零件状态 Not For New Designs

技术 FLASH - NOR

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FLASH

存储容量 256 (32M x 8)MB

时钟频率（Max） 104MHz

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 WDFN-8

存取时间 900ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

原始制造商 STMicroelectronics

品牌 ST

零件状态 Active

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 1 (128 x 8)KB

时钟频率（Max） 400kHz

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

包装 Tape/Reel

接口类型 SPI

原始制造商 STMicroelectronics

品牌 ST

速度 16MHz

零件状态 Active

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 1 (128K x 8)MB

时钟频率（Max） 16MHz

接口 SPI串行

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

包装 Tape/Reel

接口类型 SPI

原始制造商 STMicroelectronics

品牌 ST

速度 5MHz

零件状态 Active

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 2 (256K x 8)MB

时钟频率（Max） 5MHz

接口 SPI串行

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

包装 Tube packing

接口类型 SPI

写周期时间-字，页 10µs

原始制造商 Microchip Technology Inc.

品牌 Microchip

零件状态 Active

系列 SST25

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 FLASH

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FLASH

存储容量 8 (1M x 8)MB

时钟频率（Max） 50MHz

工作电压（范围） 3.6V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

存取时间 550ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

原始制造商 Fujitsu Limited

品牌 Fujitsu

零件状态 Active

技术 FRAM (Ferroelectric RAM)

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 FRAM

存储容量 256 (32K x 8)KB

时钟频率（Max） 1MHz

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

存取时间 450ns

包装 Tape/Reel

接口类型 I²C

原始制造商 STMicroelectronics

品牌 ST

速度 1MHz

零件状态 Active

系列 -

是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

技术 EEPROM

存储器类型 NonVolatile

存储器格式 EEPROM

存储容量 2 (256K x 8)MB

时钟频率（Max） 1MHz

接口 I²C，2线串口

工作电压（范围） 5.5V

工作温度 -40~+85℃

安装类型 SMT

封装/外壳 SOIC-8