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预偏置三极管 Nexperia PEMD6,115

图像仅供参考,请参阅产品规格书

预偏置三极管 Nexperia PEMD6,115

制造商型号: PEMD6,115
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-666-6
商品描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666

PDF资料: PEMD6,115.pdf

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  • 产品分类

    通用三极管

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    晶体管类型

    NPN+PNP

    Vce饱和压降(Max)

    100mV

    DC电流增益(hFE)(Min&Range)

    200

    集电极电流Ic(Max)

    100mA

    集射极击穿电压Vce(Max)

    50V

    功率(Max)

    300mW

    跃迁频率

    -

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-666-6

    技术资料文档
    数据手册 PEMD6,115.pdf

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