Diode Schottky 40V 300mA (DC) Surface Mount SOT-23-3
品牌：ST
历史库存：3
历史单价：2.29193（最新价格请咨询）
工作温度-结 -40°C~150°C
二极管类型 肖特基
安装类型 表面贴装(SMT)
零件状态 在售
是否无铅 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
系列 -
组态 Single
反向耐压VR(max) 40V
正向压降VF 0.9V
平均整流电流IF 0.3A
反向漏电流IR 1uA
反向恢复时间(trr) 5ns
应用 通用
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
VR=200V IF=2A 180pF
品牌：HQ
历史库存：965
历史单价：0.20880（最新价格请咨询）
工作温度-结 -65°C~150°C
组态 -
反向耐压VR(max) 200V
平均整流电流IF 2A
反向恢复时间(trr) -
封装/外壳 SMA(DO-214AC)
VR=70V IF=15mA 2pF P=150mW
品牌：DIODES
历史库存：2640
历史单价：0.18599（最新价格请咨询）
工作温度-结 -55°C~155°C
二极管类型 肖特基-单
反向耐压VR(max) 70V
正向压降VF 1V
平均整流电流IF 0.015A
反向漏电流IR 0.2uA
反向恢复时间(trr) 1ns
封装/外壳 SOD-323
VR=60V IF=3A
品牌：ON
历史库存：1526
历史单价：1.83060（最新价格请咨询）
反向耐压VR(max) 60V
正向压降VF 0.74V
平均整流电流IF 3A
反向漏电流IR 600uA
封装/外壳 DO-201AD
VR=20V IF=2A 200pF
历史库存：500
历史单价：0.63556（最新价格请咨询）
反向耐压VR(max) 20V
正向压降VF 0.5V
反向漏电流IR 500uA
封装/外壳 SMB
VR=40V IF=1A 120pF P=450mW
品牌：JCET
历史库存：2195
历史单价：0.17999（最新价格请咨询）
正向压降VF 0.6V
平均整流电流IF 1A
反向漏电流IR 1000uA
VR=20V IF=1A
历史库存：461
历史单价：0.71601（最新价格请咨询）
工作温度-结 -55°C~125°C
正向压降VF 0.45V
反向漏电流IR 400uA
应用 汽车
封装/外壳 DO-216AA
VR=40V IF=1A 120pF P=250mW
品牌：Sk（台湾时科）
历史库存：15
历史单价：0.14500（最新价格请咨询）
工作温度-结 -55°C~150°C
封装/外壳 SOD-123
VR=60V IF=3A 160pF
品牌：MDD
历史库存：190
历史单价：0.22500（最新价格请咨询）
元件生命周期 Active
原产国家 China
原始制造商 Microdiode Electronics(Shenzhen)Co.,Ltd.
品牌 MDD
正向压降VF 0.7V
VR=100V IF=20A 2通路
历史库存：979
历史单价：7.57988（最新价格请咨询）
安装类型 通孔(THT)
组态 Dual,Com，Cath
反向耐压VR(max) 100V
正向压降VF 0.78V
平均整流电流IF 20A
反向漏电流IR 70uA
封装/外壳 TO-220-3
