张总
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发布时间：2023-04-19 15:58
随着互联网以及科技时代的发展，芯片的重要性不言而喻。别看芯片只有一枚指甲盖大小，但是它的生产过程却要经历成千上万道工序。一枚芯片的上市需要经历芯片制造、芯片设计和芯片封测三大环节。如今我国在芯片设计这一方面有着领先于世界先进技术的水平，不过在芯片制造这一方面因光刻机这一关键设备受到了卡脖子，所以国产化道路并不是那么好走。那么芯片制造技术和芯片设计技术发展怎样？芯片制造技术和芯片设计技术如何突破？不妨一起来看看吧！
芯片制造工艺可谓是国产芯片的一大瓶颈，如今国产最先进的芯片制造工艺已经达到了14纳米，这相当于中国台积电在2015年量产的16纳米FinFET工艺，如今芯片制造工艺的落后已经成为了国产芯片发展的主要障碍。不过现在中国制造对于芯片的需求多种多样，除了手机芯片、CPU等少数芯片需要先进制造工艺之外，大多数的芯片只要14纳米级更成熟的工艺就可以满足要求了。如今中芯国际企业已经能够推进至七纳米的芯片制造工艺了，并且可以满足国内90%以上的芯片需求。
目前中芯国际凭借七纳米芯片制造工艺已经位居于行业内领先水平，因为位居于中芯国际之前的联电和格芯已经停止了研发7纳米及更先进的工艺。如今全球芯片行业对于先进芯片制造工艺出现了分歧，因为更先进的工艺制造成本太高，大部分芯片企业无法承受，从而面临破产甚至倒闭。
自从我国在芯片制造方面突破瓶颈以后，国产芯片也在芯片架构方面有所推进。目前尚未有欧美企业获得专利优势，中国芯片行业尽早的介入可以获得架构更多专利，甚至得到主导权。如今随着国内芯片设计技术水平的发展，再加上中芯国际的七纳米工艺，以及芯片堆叠技术，国产芯片在性能方面赶超安卓芯片领先者，高通和联发科已经不在话下，甚至更有望赶超苹果。
总之，目前我国在芯片制造技术和芯片设计技术这两个方面有很大的突破。
Emily
