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MOS场效应管(单) Nexperia PMCM6501VNEZ

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Nexperia PMCM6501VNEZ

制造商型号: PMCM6501VNEZ
制造商: Nexperia
封装/规格: WLCSP-6 ,WLCSP6-3-2
商品描述:
N沟道 VDS=12V VGS=±8V ID=7.3A P=556mW

PDF资料: PMCM6501VNEZ.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    900mV@250µA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    18毫欧@3A,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    12V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    12V

    连续漏极电流Id@25℃

    9.6A

    导通电阻Rds On(Max)

    18mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    24nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    920pF

    功率(Max)

    556mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    WLCSP-6 ,WLCSP6-3-2

    技术资料文档
    数据手册 PMCM6501VNEZ.pdf

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