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MOS场效应管(单) JCET 2N7002K

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) JCET 2N7002K

制造商型号: 2N7002K
制造商: JCET
封装/规格: SOT-23-3(SC-59,TO-236-3)
商品描述:
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=340mA P=350mW

PDF资料: 2N7002K.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@1mA

    漏极电流Idss

    300mA

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    漏源电压(Vdss)

    20V

    导通电阻Rds On(Max)

    功率(Max)

    350mW

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-3(SC-59,TO_236_3)

    技术资料文档
    数据手册 2N7002K.pdf

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