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MOS场效应管(阵列) DIODES DMN2011UFX-7

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) DIODES DMN2011UFX-7

制造商型号: DMN2011UFX-7
制造商: DIODES
封装/规格: V-DFN2050-4
商品描述:
2N沟道 VDS=20V VGS=±12V ID=12.2A P=2.1W 2通路

PDF资料: DMN2011UFX-7.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    漏极电流Idss

    12.2A

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    9.5毫欧@10A,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    12.2A

    导通电阻Rds On(Max)

    9.5mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    56nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    2248pF

    功率(Max)

    2.1W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    V-DFN2050-4

    技术资料文档
    数据手册 DMN2011UFX-7.pdf

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