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首页VBsemi的搜索结果 当前“VBsemi”共 169 条相关产品

VBsemi

图片 原厂型号 品牌 描述 库存 参考价格 封装
MOSFETs VBsemi 2N7002E 2N7002E VBsemi
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):250mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.8Ω@4.5V,150mA SOT-23-3
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现货: 280

¥0.20400

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SOT-23-3
MOSFETs VBsemi AO4816 AO4816 VBsemi
Vds=30V Id=7.2A SO-8 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.2A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
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现货: 293

¥1.66180

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SO-8
MOSFETs VBsemi AO3422 AO3422 VBsemi
Vds=60V Id=3.1A SOT-23-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3.1A 功率(Pd):1.09W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@10V,1.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
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现货: 4

¥0.88140

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SOT-23-3
MOSFETs VBsemi AO4404 AO4404 VBsemi
Vds=20V Id=10A SOP-8 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):2.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
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现货: 61

¥1.10240

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SOP-8
MOSFETs VBsemi 2SJ562 2SJ562 VBsemi
Vds=30V Id=6A SOT-89-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
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现货: 400

¥1.14450

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SOT-89
MOSFETs VBsemi AO2301 AO2301 VBsemi
Vds=20V Id=4.5A SOT-23-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.5A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
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现货: 500

¥0.31050

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SOT-23-3
MOSFET VBsemi NTR4503NT1G NTR4503NT1G VBsemi
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):170pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 470

¥0.45750

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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFETs VBsemi NTR4170NT1G NTR4170NT1G VBsemi
Vds=30V Id=5.3A SOT23-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,3.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):335pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):170pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 480

¥0.45750

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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFETs VBsemi P9006EDG P9006EDG VBsemi
Vds=60V Id=30A TO252AA 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.061Ω@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1000pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):120pF@25V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 98

¥2.64420

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TO-252
MOSFETs VBsemi SGM2306A SGM2306A VBsemi
Vds=30V Id=6.8A SOT89-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.8A 功率(Pd):6.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):1.2nF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):100pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 500

¥1.06820

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SOT-89
MOSFETs VBsemi P2402CAG P2402CAG VBsemi
Vds=30V Id=5.5A SOT23-6 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):23Ω@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):424pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):42pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 500

¥1.01700

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SOT-23-6
MOSFETs VBsemi PMN50XP PMN50XP VBsemi
Vds=30V Id=4.0A SOT23-6 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.8A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):5.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):450pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):63pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 496

¥0.94920

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SOT-23-6
MOSFETs VBsemi PMV48XP PMV48XP VBsemi
Vds=20V Id=4.5A SOT23-3 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.035Ω@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):835pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):155pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 450

¥0.36570

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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFETs VBsemi ME9926 ME9926 VBsemi
Vds=20V Id=7.1A SOP8 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):7.1A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@4.5V,7.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):9.5nC@4.5V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 82

¥1.32210

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SO-8
MOSFETs VBsemi ME9435 ME9435 VBsemi
Vds=30V Id=5.8A SO-8 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V,5.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):16nC@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 239

¥1.18720

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SO-8
MOSFETs VBsemi AP2310GN AP2310GN VBsemi
Vds=60V Id=3.1A SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.66W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,1.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):180pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds):13pF@30V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 500

¥1.01700

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TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFETs VBsemi FDC5661N FDC5661N VBsemi
Vds=60V Id=7A SOT23-6 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):7.6nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):560pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds):55pF@30V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)
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现货: 500

¥1.18720

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SOT-23-6
MOSFETs VBsemi AO4801 AO4801 VBsemi
Vds=30V Id=7.3A SOP-8 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.3A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,6.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
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现货: 25

¥1.36505

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SOP-8
MOSFETs VBsemi AO4812 AO4812 VBsemi
Vds=30V Id=6.2A SOP-8 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):6.2A 功率(Pd):1.78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
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现货: 148

¥1.27125

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SOP-8
MOSFETs VBsemi AO3460 AO3460 VBsemi
Vds=60V Id=250mA SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):250mA 功率(Pd):0.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):0.4nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):25pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):2.0pF@25V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(T
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现货: 470

¥0.29325

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SOT-23-3
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张总

13652314007

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