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MOSFETs VBsemi AP2310GN

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi AP2310GN

制造商型号: AP2310GN
制造商: VBsemi
封装/规格: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
商品描述:
Vds=60V Id=3.1A SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.66W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,1.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):180pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds):13pF@30V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

PDF资料: AP2310GN.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    4A

    导通电阻Rds On(Max)

    96mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    6.1nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    180pF

    功率(Max)

    1.66W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    技术资料文档
    数据手册 AP2310GN.pdf

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