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晶体管 - FET,MOSFET Infineon Technologies IPN95R1K2P7ATMA1

图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 - FET,MOSFET Infineon Technologies IPN95R1K2P7ATMA1

制造商型号: IPN95R1K2P7ATMA1
制造商: Infineon Technologies
封装/规格: SOT-223
商品描述:
N沟道 VDS=950V VGS=±20V ID=6A P=7W

PDF资料: IPN95R1K2P7ATMA1.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3.5V@140µA

    漏极电流Idss

    1µA

    FET类型

    N沟道

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    950V

    连续漏极电流Id@25℃

    6A

    导通电阻Rds On(Max)

    1.2Ω

    栅极电荷(Qg)(Max)

    15nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    478pF

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-223

    技术资料文档
    数据手册 IPN95R1K2P7ATMA1.pdf

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