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MOS场效应管(单) DIODES 2N7002-7-F

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) DIODES 2N7002-7-F

制造商型号: 2N7002-7-F
制造商: DIODES
封装/规格: SOT-23
商品描述:
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA P=370mW

PDF资料: 2N7002-7-F.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    漏极电流Idss

    115mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    7.5欧姆@50mA,5V

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    170mA

    导通电阻Rds On(Max)

    7.5Ω

    栅极电荷(Qg)(Max)

    -

    输入电容(Ciss)(Max)

    50pF

    功率(Max)

    370mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23

    技术资料文档
    数据手册 2N7002-7-F.pdf

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