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MOS场效应管(单) AOS AO4459

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) AOS AO4459

制造商型号: AO4459
制造商: AOS
封装/规格: 8-SOIC(0.154\",3.90mm宽)
商品描述:
P沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=6.5A P=3.1W

PDF资料: AO4459.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    FET类型

    P沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    46毫欧@6.5A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    输入电容(Ciss)(Max)

    830pF

    功率(Max)

    3.1W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 AO4459.pdf

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