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MOS场效应管(单) IXYS Corporation IXFN44N50

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) IXYS Corporation IXFN44N50

制造商型号: IXFN44N50
制造商: IXYS Corporation
封装/规格: SOT_227_4
商品描述:
N沟道 VDS=500V VGS=±20V ID=44A

PDF资料: IXFN44N50.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@8mA

    漏极电流Idss

    44A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    120毫欧@500mA,10V

    漏源极电压(Vdss)

    500V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    500V

    连续漏极电流Id@25℃

    44A

    导通电阻Rds On(Max)

    120mΩ

    功率(Max)

    520W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    底座安装

    技术资料文档
    数据手册 IXFN44N50.pdf

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