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MOS场效应管(单) ON BS170

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) ON BS170

制造商型号: BS170
制造商: ON
封装/规格: TO-92-3(定型脚)(TO-226AA,TO-226-3)
商品描述:
N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=500mA P=300mW

PDF资料: BS170.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3V@1mA

    漏极电流Idss

    500mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    5欧姆@200mA,10V

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    500mA

    导通电阻Rds On(Max)

    栅极电荷(Qg)(Max)

    -

    功率(Max)

    0.83W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    通孔(THT)

    技术资料文档
    数据手册 BS170.pdf

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