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MOSFETs ST STB15810

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs ST STB15810

制造商型号: STB15810
制造商: ST
封装/规格: D2Pak
商品描述:
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@10V,55A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):117nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds):8.115nF@50V 反向传输电容(Crss@Vds):67pF@50V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)

PDF资料: STB15810.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    漏极电流Idss

    1µA

    元件生命周期

    Active

    原产国家

    America

    品牌

    ST

    漏源极电压(Vdss)

    100V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    100V

    连续漏极电流Id@25℃

    110A

    导通电阻Rds On(Max)

    3.4mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    117nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    8115pF

    功率(Max)

    250W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    D2Pak

    技术资料文档
    数据手册 STB15810.pdf

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