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MOS场效应管(单) DIODES DMT10H015LK3-13

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) DIODES DMT10H015LK3-13

制造商型号: DMT10H015LK3-13
制造商: DIODES
封装/规格: TO-252-2(DPAK)
商品描述:
N沟道 VDS=100V VGS=±10V ID=52.7A P=2.9W

PDF资料: DMT10H015LK3-13.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3.5V@250µA

    漏极电流Idss

    50A

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    100V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    100V

    导通电阻Rds On(Max)

    15mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    33.3nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    1871pF

    功率(Max)

    2.9W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    TO-252-2(DPAK)

    技术资料文档
    数据手册 DMT10H015LK3-13.pdf

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