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MOSFETs UTC UT3N06G-AE3-R

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs UTC UT3N06G-AE3-R

制造商型号: UT3N06G-AE3-R
制造商: UTC
封装/规格: SOT-23
商品描述:
场效应管(MOSFET) N沟道 60V 3A 90mΩ@10V

PDF资料: UT3N06G-AE3-R.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3V@250µA

    FET类型

    N沟道

    元件生命周期

    Active

    存储温度

    -55~+150℃

    原产国家

    China

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    3A

    导通电阻Rds On(Max)

    120mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    10nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    780pF

    功率(Max)

    350mW

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23

    技术资料文档
    数据手册 UT3N06G-AE3-R.pdf

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