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MOS场效应管(阵列) WINSOK WSK96N08

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) WINSOK WSK96N08

制造商型号: WSK96N08
制造商: WINSOK
封装/规格: TO_263_2L.
商品描述:
N沟道 VDS=80V VGS=±25V ID=96A

PDF资料: WSK96N08.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3V@250µA

    漏极电流Idss

    90A

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    80V

    漏源电压(Vdss)

    80V

    导通电阻Rds On(Max)

    7.0mΩ

    功率(Max)

    185W

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 WSK96N08.pdf

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