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MOS场效应管(单) CRHJ CS9N20A4R

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) CRHJ CS9N20A4R

制造商型号: CS9N20A4R
制造商: CRHJ
封装/规格: TO-252
商品描述:
N沟道 VDS=200V VGS=±30V ID=9A P=75W

PDF资料: CS9N20A4R.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2V@250µA(最小)

    漏极电流Idss

    1µA

    FET类型

    N沟道

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    200V

    连续漏极电流Id@25℃

    9A

    导通电阻Rds On(Max)

    280mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    12.6nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    550pF

    功率(Max)

    75W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    TO-252

    技术资料文档
    数据手册 CS9N20A4R.pdf

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