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MOS场效应管(单) DIODES ZXMP6A17E6TA

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) DIODES ZXMP6A17E6TA

制造商型号: ZXMP6A17E6TA
制造商: DIODES
封装/规格: SOT-26
商品描述:
P沟道 VDS=-60V VGS=±20V ID=-2.3A P=1.1W

PDF资料: ZXMP6A17E6TA.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    漏极电流Idss

    3A

    FET类型

    P沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    125毫欧@2.3A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    3A

    导通电阻Rds On(Max)

    125mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    17.7nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    637pF

    功率(Max)

    1.1W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-26

    技术资料文档
    数据手册 ZXMP6A17E6TA.pdf

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