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MOS场效应管(单) AsiaChip ACN6362

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) AsiaChip ACN6362

制造商型号: ACN6362
制造商: AsiaChip
封装/规格: DFN5x6
商品描述:
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=60A P=31W

PDF资料: ACN6362.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.7V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    30V

    导通电阻Rds On(Max)

    9.5mΩ

    功率(Max)

    31W

    封装/外壳

    DFN5x6

    技术资料文档
    数据手册 ACN6362.pdf

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