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MOS场效应管 Nexperia PMZ600UNEZ

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 Nexperia PMZ600UNEZ

制造商型号: PMZ600UNEZ
制造商: Nexperia
封装/规格: SOT-883,DFN1006-3
商品描述:
PMZ600UNEL/SOT883/XQFN3

PDF资料: PMZ600UNEZ.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    950mV@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    600mA

    导通电阻Rds On(Max)

    620mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    0.7nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    21.3pF

    功率(Max)

    360mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-883,DFN1006-3

    技术资料文档
    数据手册 PMZ600UNEZ.pdf

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