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MOSFETs VBsemi FDC602P

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi FDC602P

制造商型号: FDC602P
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-23-6
商品描述:
Vds=30V Id=4.0A TSOT-6 类型 P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.8A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,4.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):450pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):63pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

PDF资料: FDC602P.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2V@250µA

    FET类型

    P沟道

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    4.8A

    导通电阻Rds On(Max)

    60mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    15nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    450pF

    功率(Max)

    3W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-6

    技术资料文档
    数据手册 FDC602P.pdf

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