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晶体管 Vishay SI7119DN-T1-GE3

图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 Vishay SI7119DN-T1-GE3

制造商型号: SI7119DN-T1-GE3
制造商: Vishay
封装/规格: PowerPAK® 1212_8
商品描述:
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

PDF资料: SI7119DN-T1-GE3.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    4V@250µA

    FET类型

    P沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    1.05欧姆@1A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    200V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    输入电容(Ciss)(Max)

    666pF

    工作温度(Tj)

    -50°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
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