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MOSFETs VBsemi LR024N

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi LR024N

制造商型号: LR024N
制造商: VBsemi
封装/规格: TO-252
商品描述:
Vds=60V Id=16.9A TO-252 N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):16.9A 功率(Pd):41.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,5.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):19.8nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):860pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds):40pF@30V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

PDF资料: LR024N.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    栅极电荷(Qg)(Max)

    30nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    860pF

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    TO-252

    技术资料文档
    数据手册 LR024N.pdf

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