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MOS场效应管(单) NCE NCE30H12K

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) NCE NCE30H12K

制造商型号: NCE30H12K
制造商: NCE
封装/规格: TO-252
商品描述:
VDS=30V ID=120A PD=120W VGS=±20V

PDF资料: NCE30H12K.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3V@250µA

    FET类型

    N沟道

    元件生命周期

    Active

    存储温度

    -55~+175℃

    原产国家

    China

    品牌

    NCE

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    120A

    导通电阻Rds On(Max)

    4.5mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    79nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    4120pF

    功率(Max)

    120W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    TO-252

    技术资料文档
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