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MOS管 TECH PUBLIC TPDMN26D0UFB4

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS管 TECH PUBLIC TPDMN26D0UFB4

制造商型号: TPDMN26D0UFB4
制造商: TECH PUBLIC
封装/规格: X2-DFN1006-3
商品描述:
N DFN1006-3L Vds=20V Vgs=±10V

PDF资料: TPDMN26D0UFB4.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    700mA

    导通电阻Rds On(Max)

    500mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    -

    输入电容(Ciss)(Max)

    120pF

    功率(Max)

    100mW

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    X2-DFN1006-3

    技术资料文档
    数据手册 TPDMN26D0UFB4.pdf

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