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MOS场效应管(阵列) JCET 2N7002DW(SOT-363)

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) JCET 2N7002DW(SOT-363)

制造商型号: 2N7002DW(SOT-363)
制造商: JCET
封装/规格: SOT_363(SC_70_6,TSSOP_6,SC_88)
商品描述:
2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=115mA P=150mW

PDF资料: 2N7002DW(SOT-363).pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.6V@250µA

    漏极电流Idss

    115mA

    FET类型

    N+N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    115mA

    导通电阻Rds On(Max)

    1.1Ω

    功率(Max)

    150mW

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 2N7002DW(SOT-363).pdf

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