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MOS场效应管(阵列) Vishay SI9945BDY-T1-GE3

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(阵列) Vishay SI9945BDY-T1-GE3

制造商型号: SI9945BDY-T1-GE3
制造商: Vishay
封装/规格: SOIC-8(0.154", 3.90mm Width)
商品描述:
2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=5.3A P=3.1W 2通路

PDF资料: SI9945BDY-T1-GE3.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3V@250µA

    漏极电流Idss

    5.3A

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    58毫欧@4.3A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    5.3A

    导通电阻Rds On(Max)

    4.5Ω

    功率(Max)

    375mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SO-8

    技术资料文档
    数据手册 SI9945BDY-T1-GE3.pdf

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