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MOSFETs VBsemi AP2306GN

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi AP2306GN

制造商型号: AP2306GN
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-23-3
商品描述:
Vds=20V Id=5A SOT23-3 类型 N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):2.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@5V 输入电容(Ciss@Vds):865pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds):55pF@10V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

PDF资料: AP2306GN.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@250µA

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    6A

    导通电阻Rds On(Max)

    50mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    18nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    865pF

    功率(Max)

    2.1W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-3

    技术资料文档
    数据手册 AP2306GN.pdf

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