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MOSFETs VBsemi AO6601

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi AO6601

制造商型号: AO6601
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-23-6
商品描述:
Vds=20V Id=5.5A,3.4A SOT23-6 类型 N+P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5.5A;4.2A 功率(Pd):1.15W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@10V,2.5A;55mΩ@10V,1.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.6V@250uA;0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):2.1nC@5V;2.4nC@5V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

PDF资料: AO6601.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    0.7V@250uA

    FET类型

    N+P沟道

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    5.5A

    导通电阻Rds On(Max)

    83mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    3.6nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    -

    功率(Max)

    1.15W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-6

    技术资料文档
    数据手册 AO6601.pdf

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