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MOS场效应管(单) Toshiba SSM3J356R,LF

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Toshiba SSM3J356R,LF

制造商型号: SSM3J356R,LF
制造商: Toshiba
封装/规格: SOT-23-3
商品描述:
P沟道 VDS=60V VGS=+10V/-20V ID=2A P=1W

PDF资料: SSM3J356R,LF.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2V@1mA

    FET类型

    P沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    300毫欧@1A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    2000mA

    导通电阻Rds On(Max)

    300mΩ

    输入电容(Ciss)(Max)

    330pF

    功率(Max)

    1W

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-3

    技术资料文档
    数据手册 SSM3J356R,LF.pdf

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