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MOS场效应管(单) ON NTA4153NT1G

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) ON NTA4153NT1G

制造商型号: NTA4153NT1G
制造商: ON
封装/规格: SOT-416(SC-75)
商品描述:
N沟道 VDS=20V VGS=±6V ID=915MA P=300mW

PDF资料: NTA4153NT1G.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.1V@250µA

    漏极电流Idss

    915mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    230毫欧@600mA,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    915mA

    导通电阻Rds On(Max)

    230mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    1.82nC

    功率(Max)

    300mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 NTA4153NT1G.pdf

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