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晶体管 Cree C3M0120090J

图像仅供参考,请参阅产品规格书

晶体管 Cree C3M0120090J

制造商型号: C3M0120090J
制造商: Cree
封装/规格: TO_263_8,D²Pak(7引线+接片),TO_263CA
商品描述:
MOSFET N-CH 900V 22A

PDF资料: C3M0120090J.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    3.5V@3mA

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    155毫欧@15A,15V

    漏源极电压(Vdss)

    900V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    900V

    导通电阻Rds On(Max)

    120mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    17.3nC

    功率(Max)

    83W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 C3M0120090J.pdf

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