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MOS(场效应管) Anpec APM4953KC-TRG

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS(场效应管) Anpec APM4953KC-TRG

制造商型号: APM4953KC-TRG
制造商: Anpec
封装/规格: SO-8
商品描述:
2P沟道 Id=4.9A Vdss=-30V 2V@250uA 60mΩ@4.9A,10V 2.5W

PDF资料: APM4953KC-TRG.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    P+P沟道

    漏源电压(Vdss)

    -30V

    连续漏极电流Id@25℃

    4.9A

    导通电阻Rds On(Max)

    95mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    29nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    1260pF

    功率(Max)

    2.5W

    工作温度(Tj)

    150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SO-8

    技术资料文档
    数据手册 APM4953KC-TRG.pdf

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