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MOS场效应管 ON NVD5117PLT4G-VF01

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 ON NVD5117PLT4G-VF01

制造商型号: NVD5117PLT4G-VF01
制造商: ON
封装/规格: SOT-428,DPAK
商品描述:
MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM

PDF资料: NVD5117PLT4G-VF01.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA

    漏极电流Idss

    61A

    FET类型

    P沟道

    品牌

    ON

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    16毫欧@29A,10V

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    导通电阻Rds On(Max)

    12mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    85nC

    功率(Max)

    4.1W

    工作温度(Tj)

    -55°C~175°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-428,DPAK

    技术资料文档
    数据手册 NVD5117PLT4G-VF01.pdf

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