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MOSFETs VBsemi AO4606

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi AO4606

制造商型号: AO4606
制造商: VBsemi
封装/规格: SO-8
商品描述:
Vds=30V SOP8 类型 N+P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):3.1W;3.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,6.8A;40mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs): 6nC@10V;41.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):510pF@20V;620pF@20V 反向传输电容(Crss@Vds):33pF@20V;57pF@20V 工作温度(最小

PDF资料: AO4606.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2V@250µA

    FET类型

    N+P沟道

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    8A

    导通电阻Rds On(Max)

    50mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    63nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    620pF

    功率(Max)

    3.2W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SO-8

    技术资料文档
    数据手册 AO4606.pdf

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