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MOS场效应管(单) Infineon IPD082N10N3G

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Infineon IPD082N10N3G

制造商型号: IPD082N10N3G
制造商: Infineon
封装/规格: TO-252-2(DPAK,TO-252AA,SC-63)
商品描述:
N沟道 VDS=100V VGS=±20V ID=80A

PDF资料: IPD082N10N3G.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2.7V@75µA

    漏极电流Idss

    80A

    FET类型

    N沟道

    漏源极电压(Vdss)

    100V

    漏源电压(Vdss)

    100V

    导通电阻Rds On(Max)

    8.2mΩ

    功率(Max)

    125W

    技术资料文档
    数据手册 IPD082N10N3G.pdf

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