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MOSFETs WILLSEMI WNM2016-3/TR

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs WILLSEMI WNM2016-3/TR

制造商型号: WNM2016-3/TR
制造商: WILLSEMI
封装/规格: SOT-23-3
商品描述:
功率(Pd):700mW 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V 250μA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):47mΩ 4.5V,3.6A 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.9A 类型:N沟道 N沟道,20V,3.2A

PDF资料: WNM2016-3/TR.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    2.9A

    导通电阻Rds On(Max)

    47mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    8.5nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    500pF

    功率(Max)

    700mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-3

    技术资料文档
    数据手册 WNM2016-3/TR.pdf

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