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MOS场效应管(单) TI CSD16323Q3

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) TI CSD16323Q3

制造商型号: CSD16323Q3
制造商: TI
封装/规格: SON-8
商品描述:
N沟道 VDS=25V VGS=+10V/-8V ID=207A P=2.8W

PDF资料: CSD16323Q3.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1.4V@250µA

    漏极电流Idss

    21A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    4.5毫欧@24A,8V

    漏源极电压(Vdss)

    25V

    是否无铅

    含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    25V

    导通电阻Rds On(Max)

    4.5mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    8.4nC

    功率(Max)

    2.8W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 CSD16323Q3.pdf

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