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MOS场效应管 DIODES DMN65D8LDW-7

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管 DIODES DMN65D8LDW-7

制造商型号: DMN65D8LDW-7
制造商: DIODES
封装/规格: SOT-363
商品描述:
2N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=180mA P=300mW 2通路

PDF资料: DMN65D8LDW-7.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2V@250µA

    漏极电流Idss

    180mA

    FET类型

    N+N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    6欧姆@115mA,10V

    漏源极电压(Vdss)

    60V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    60V

    连续漏极电流Id@25℃

    180mA

    导通电阻Rds On(Max)

    栅极电荷(Qg)(Max)

    0.87nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    22pF

    功率(Max)

    300mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-363

    技术资料文档
    数据手册 DMN65D8LDW-7.pdf

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