张总
13652314007
MOSFETs VBsemi SI4435DY-T1-E3
| 制造商型号： SI4435DY-T1-E3 | 制造商：
VBsemi |
| 封装/规格： SO-8 | |
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商品描述：
SOP8 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：4.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
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PDF资料： SI4435DY-T1-E3.pdf | |
交货地：货期(工作日）：2小时发货
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优势现货
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Emily
