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MOSFETs VBsemi VB1101M

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi VB1101M

制造商型号: VB1101M
制造商: VBsemi
封装/规格: SOT-23-3
商品描述:
SOT-23-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):134mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250μA N沟道,100V,4.3A,100mΩ@10V

PDF资料: VB1101M.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    100V

    连续漏极电流Id@25℃

    4.3A

    导通电阻Rds On(Max)

    150mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    10.4nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    190pF

    功率(Max)

    2.5W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOT-23-3

    技术资料文档
    数据手册 VB1101M.pdf

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