张总
13652314007
MOSFETs VBsemi HAT2016RJ
| 制造商型号： HAT2016RJ | 制造商：
VBsemi |
| 封装/规格： SO-8 | |
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商品描述：
Vds=30V Id=6.2A SO-8 类型 N+N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6.8A 功率(Pd)：2.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,5A；阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：586pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@15V 工作温度(最小值)：-55℃@(Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
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PDF资料： HAT2016RJ.pdf | |
交货地：货期(工作日）：2小时发货
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