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MOSFETs VBsemi AP4501AGM

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi AP4501AGM

制造商型号: AP4501AGM
制造商: VBsemi
封装/规格: SOP-8
商品描述:
Vds=30V Id=6.8A,6.6A SOP-8 类型 P+N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):3.2W;3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@10V,6.8A;40mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):6nC@10V;41.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):510pF@20V;620pF@20V 反向传输电容(Crss@Vds):33pF@20

PDF资料: AP4501AGM.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    2V@250µA

    FET类型

    N+P沟道

    漏源极电压(Vdss)

    30V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    漏源电压(Vdss)

    30V

    连续漏极电流Id@25℃

    8A

    导通电阻Rds On(Max)

    18mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    63nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    63pF

    功率(Max)

    3.2W

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    SOP-8

    技术资料文档
    数据手册 AP4501AGM.pdf

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