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MOS场效应管(单) DIODES DMN2300UFD-7-81

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) DIODES DMN2300UFD-7-81

制造商型号: DMN2300UFD-7-81
制造商: DIODES
封装/规格: X1-DFN1212-3
商品描述:
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=1.21A P=470mW

PDF资料: DMN2300UFD-7-81.pdf

交货地:货期(工作日):2小时发货
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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    950mV @ 250µA

    漏极电流Idss

    1.73A

    FET类型

    N沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    200 毫欧 @ 900mA,4.5V

    漏源极电压(Vdss)

    20V

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    1.73A

    导通电阻Rds On(Max)

    200mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    2nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    67.62pF

    功率(Max)

    960mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    封装/外壳

    X1-DFN1212-3

    技术资料文档
    数据手册 DMN2300UFD-7-81.pdf

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