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MOSFETs VBsemi NTE4153NT1G

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOSFETs VBsemi NTE4153NT1G

制造商型号: NTE4153NT1G
制造商: VBsemi
封装/规格: SC75_3
商品描述:
Vds=20V Id=0.7A SC75-3 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):0.85A 功率(Pd):0.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.27Ω@4.5V,0.75A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):105nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):11pF@15V 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)

PDF资料: NTE4153NT1G.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    FET类型

    N沟道

    漏源电压(Vdss)

    20V

    连续漏极电流Id@25℃

    850mA

    导通电阻Rds On(Max)

    270mΩ

    栅极电荷(Qg)(Max)

    4.1nC

    输入电容(Ciss)(Max)

    105pF

    功率(Max)

    500mW

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
    数据手册 NTE4153NT1G.pdf

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