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MOS场效应管(单) Toshiba SSM6J511NU,LF

图像仅供参考,请参阅产品规格书

MOS场效应管(单) Toshiba SSM6J511NU,LF

制造商型号: SSM6J511NU,LF
制造商: Toshiba
封装/规格: UDFN6B
商品描述:
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B

PDF资料: SSM6J511NU,LF.pdf

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  • 产品分类

    MOSFETs

    阈值电压Vgs(th)

    1V@1mA

    FET类型

    P沟道

    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)

    9.1毫欧@4A,8V

    漏源极电压(Vdss)

    12V

    是否无铅

    无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

    零件状态

    在售

    工作温度(Tj)

    -55°C~150°C

    安装类型

    表面贴装(SMT)

    技术资料文档
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